派瑞林真空鍍膜技術(shù)既包括化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）又包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）。

CVD是一種將氣體化學(xué)物質(zhì)在固體表面上沉積成膜的方法，其中的化學(xué)反應(yīng)在高溫下進(jìn)行。在CVD過(guò)程中，材料蒸發(fā)在氣相中，然后在真空室中的襯底表面沉積。這種方法用于生長(zhǎng)厚度較大的均勻薄膜，具有較高的晶體質(zhì)量和較小的缺陷。

PECVD是CVD的一種變種，它在高頻電場(chǎng)的激勵(lì)下使用等離子體來(lái)增強(qiáng)反應(yīng)。在PECVD過(guò)程中，氣體在高頻電場(chǎng)的作用下被電離形成等離子體，使反應(yīng)速率增加。由于等離子體的參與，PCEVD膜具有較高的密度和較好的控制性能。由于電離過(guò)程的作用，PECVD能夠以較低溫度進(jìn)行膜沉積，缺陷較少，適用于功能膜的生長(zhǎng)。

派瑞林真空鍍膜技術(shù)是同時(shí)結(jié)合了CVD和PECVD的優(yōu)點(diǎn)的一種復(fù)合方法。派瑞林真空鍍膜系統(tǒng)具備高溫、高真空度以及等離子激發(fā)等多種特點(diǎn)，可用于制備高質(zhì)量的薄膜材料。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于光電、信息、光學(xué)和微電子等領(lǐng)域。

總的來(lái)說(shuō)，派瑞林真空鍍膜技術(shù)既采用了化學(xué)氣相沉積（CVD）的高溫反應(yīng)過(guò)程，又利用了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）的高頻電場(chǎng)激發(fā)特性。這使得派瑞林真空鍍膜技術(shù)在沉積薄膜時(shí)既能保證較高晶體質(zhì)量，又能提高沉積速率和材料控制性能，為不同領(lǐng)域的應(yīng)用提供了一種優(yōu)化選擇。